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三星电子据悉将增加对得州的投资至约440亿美元

导读4月5日消息,据知情人士透露,三星电子拟将得克萨斯州半导体投资总额增加一倍以上,达到约440亿美元,这是美国在寻求扩大生产全球尖端...

4月5日消息,据知情人士透露,三星电子拟将得克萨斯州半导体投资总额增加一倍以上,达到约440亿美元,这是美国在寻求扩大生产全球尖端芯片方面取得的重大突破。这家韩国公司的新支出将集中在得克萨斯州的泰勒,三星正在那里建设一个半导体中心,附近还有其他现有业务。新增设施包括一个新的芯片制造工厂,以及一个先进封装和研发设施。

知情人士称,宣布三星扩大投资的活动预计将于4月15日在泰勒举行。三星未予置评。两年多前,三星曾承诺向泰勒投资170亿美元,用于建设一家尖端芯片制造工厂,这次是在此基础上追加的投资。(华尔街日报)

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