2 月，在第 70 届 IEEE 国际固态电路会议 (ISSCC) 期间，SK 海力士展示了包含 300 多个有源层的新型第八代 3D NAND 芯片的细节，令与会者大吃一惊。SK 海力士在会议上发表的题为“高密度存储器和高速接口”的论文描述了该公司将如何提高固态硬盘的性能，同时降低单个 TB 的成本。新的 3D NAND 将在两年内首次亮相市场，并有望打破记录。

SK海力士揭示了具有更快数据吞吐量和更高存储级别的第8代3D NAND存储器的开发

新的第八代 3D NAND 内存将提供 1 TB(128 GB)存储容量，呈现单元、20Gb/mm² 位密度、16KB 页大小、四个平面和 2400 MT/s 接口。最大数据吞吐量将达到 194 MB/s——比之前的 238 层和 164 MB/s 速率的第七代 3D NAND 高出 18%。加速的输入和输出将有助于提高数据吞吐量，并有助于 PCIe 5.0 x4 或更高的接口利用率。

图片来源：SK Hynix 来自 Tom's Hardware

该公司的研发团队检查了五个领域以实施新的第八代 3D NAND 技术：

三重验证程序 (TPGM) 功能可缩小单元阈值电压分布并将 tPROG(编程时间)减少 10%，从而转化为更高的性能

Adaptive Unselected String Pre-Charge (AUSP) - 另一种将 tPROG 降低约 2% 的程序

全通上升 (APR) 方案可将 tR(读取时间)降低约 2% 并缩短字线上升时间

编程虚拟串 (PDS) 技术可通过降低通道电容负载来缩短 tPROG 和 tR 的世界线建立时间

平面级读取重试 (PLRR) 功能，允许在不终止其他平面的情况下更改平面的读取级别，因此，立即发出后续读取命令并提高服务质量 (QoS)，从而提高读取性能

由于SK海力士的新产品还在开发中，SK海力士何时投产还不得而知。根据 ISSCC 2023 会议上的公告，可以推测该公司比公众意识到的更接近于与合作伙伴开始大规模或部分生产。

该公司尚未透露生产最新一代 3D NAND 的时间表。尽管如此，分析师仍预计该公司最早会在 2024 年出现变化，最迟在次年出现。唯一会停止开发的问题是，如果资源大规模不可用，这将停止整个公司和其他公司的所有生产。